運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：160K步。
實(shí)現(xiàn)高精度運(yùn)動(dòng)控制的多CPU系統(tǒng)
可通過執(zhí)行順控程序和并行處理多CPU間高速通信，實(shí)現(xiàn)高速控制。
多CPU間的通信周期已與運(yùn)動(dòng)控制時(shí)間同步，可減少多余的控制時(shí)間。
安裝3個(gè)運(yùn)動(dòng)CPU模塊后，最多可對(duì)96軸進(jìn)行伺服控制RX40C7
最多1200K步的程序容量。
實(shí)現(xiàn)高精度運(yùn)動(dòng)控制的多CPU系統(tǒng)。
CPU模塊內(nèi)置2個(gè)支持千兆位的網(wǎng)絡(luò)端口。
便于進(jìn)行數(shù)據(jù)管理的數(shù)據(jù)庫功能。
內(nèi)置安全功能的擴(kuò)展SRAM卡。
可進(jìn)行各種運(yùn)動(dòng)控制(位置、速度、扭矩、高級(jí)同步控制等）。
符合國際安全標(biāo)準(zhǔn)（ ISO 13849-1 PL e、 IEC 61508 SIL 3）的安全CPU。
最適合從計(jì)算機(jī)/微機(jī)環(huán)境進(jìn)行移植的C/C++語言編程。模擬量輸入通道數(shù)：8CH。
冷端補(bǔ)償精度：正負(fù)1.0℃。
可使用的熱電偶：B、R、S、K、E、J、T、N。
可使用的測(cè)溫電阻：-。
分辨率1：B、 R、 S、 N： 0.3℃
分辨率2：K、 E、 J、 T： 0.1℃
轉(zhuǎn)換速度：30ms/CH。
通道間絕緣：隔離變壓器絕緣。
斷線檢測(cè)：有。
外部配線連接方式：40針連接器。
輸出
溫度測(cè)量值（16位帶符號(hào)二進(jìn)制）：?2700～18200。
縮放值（16位帶符號(hào)二進(jìn)制）：有。
高速數(shù)據(jù)采樣不受掃描時(shí)間影響。
模擬量輸入模塊具有記錄功能，可高速收集工業(yè)用途中需求較多的模擬量輸入數(shù)據(jù)。
可在設(shè)定周期內(nèi)連續(xù)收集數(shù)據(jù)，每個(gè)通道最多可存儲(chǔ)10000點(diǎn)的記錄數(shù)據(jù)。
此外，可將程序中的任意時(shí)間和數(shù)據(jù)的狀態(tài)變化作為保持觸發(fā)器，
據(jù)此來停止收集數(shù)據(jù)。可通過該功能保存保持觸發(fā)狀態(tài)前后的模擬量輸入數(shù)據(jù)，
便于確定發(fā)生的現(xiàn)象和收集試驗(yàn)數(shù)據(jù)。比如電機(jī)的檢測(cè)設(shè)備就使用了這一功能。
可從可編程控制器向變頻器和功率計(jì)發(fā)送試驗(yàn)?zāi)Ｊ降目刂浦噶睿?br/> 同時(shí)高速收集待測(cè)電機(jī)的測(cè)試數(shù)據(jù)。模擬量輸入通道數(shù)：4CH。
可使用的熱電偶：-。
可使用的測(cè)溫電阻：PT100、JPt100。
采樣周期［4CH］：250ms/500ms。
控制輸出周期：0.5s～100.0s。
輸入阻抗：1MΩ。
輸入濾波器（0：輸入濾波器OFF）：0～100s。
傳感器補(bǔ)償值設(shè)定：負(fù)端輸入范圍的全范圍～輸入范圍的全范圍。
傳感器輸入斷線時(shí)的動(dòng)作：按比例放大處理。
溫度控制方式：PID ON/OFF脈沖或2位置控制
加熱器斷線檢測(cè)規(guī)格：無。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)。
MELSEC iQ-R系列 溫度調(diào)節(jié)模塊實(shí)現(xiàn)了高穩(wěn)定性和響應(yīng)性的溫度控制。
分為熱電偶輸入、測(cè)溫電阻輸入兩種輸入類型，
這兩種輸入類型又分別按帶/不帶加熱器斷線檢測(cè)功能進(jìn)行區(qū)分。
模塊間結(jié)合功能。
結(jié)合使用最多64臺(tái)的溫度調(diào)節(jié)模塊進(jìn)進(jìn)行溫度控制。可結(jié)合的功能為以下兩點(diǎn)。
模塊間同時(shí)升溫功能。
模塊間峰值電流抑制功能。
模塊間時(shí)升溫溫功能
通過配合多個(gè)環(huán)路的到達(dá)時(shí)間，進(jìn)行平均的溫度控制。
可實(shí)現(xiàn)均勻的溫度控制，避免控制對(duì)象出現(xiàn)部分燒損，
部分熱膨脹的現(xiàn)象。最多可分割為16組，配合其升溫到達(dá)時(shí)間，
減少系統(tǒng)整體在升溫時(shí)發(fā)生的能源浪費(fèi)。