輸入電壓范圍：DC24V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：8.5A。
簡化程序調試
可使用帶執行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值Q170MSCPU-S1手冊。
以往在調試特定回路程序段時，需要追加設定軟元件的程序，
而目前通過使用本功能，無需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨執行動作Q170MSCPU-S1
因此，不需要單獨為了調試而更改程序，調試操作更簡單。
自動備份關鍵數據
將程序和參數文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導致程序和參數丟失。
此外，還可將軟元件數據等重要數據備份到標準ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機時，
這些數據因電池電量耗盡而丟失Q170MSCPU-S1手冊。
下次打開電源時，備份的數據將自動恢復。
通過軟元件擴展，更方便創建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴展到60K點，使程序更容易理解。安裝DIN導軌用的適配器。
用于Q38B-E、Q312B-E、Q612B、Q38RB、Q68RB、Q65WRB、Q38DB、Q312DBQ170MSCPU-S1手冊。輸出點數：64點。
輸出電壓及電流：DC5～24V 0.2A/1點。
2A/1公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應答時間：1ms。
32點1個公共端。
漏型。
40針連接器。
帶熱防護三菱MELSEC-Q/L結構體手冊。
帶短路保護。
帶浪涌吸收器。
超高速處理，生產時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統運行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現以往與單片機控制相聯系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統性能，
防止任何可能出現的性能偏差三菱MELSEC-Q/L結構體手冊。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡化了編程三菱MELSEC-Q/L結構體手冊。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發生故障時的數據，
檢驗程序調試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統中也有有助于確定CPU模塊之間的數據收發時間Q170MSCPU-S1編程手冊。
可用編程工具對收集的數據進行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數據變化Q170MSCPU-S1手冊。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數據顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。