SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：64KB。
E2PROM容量：64KB。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：1000 k步QD64D2用戶(hù)手冊(cè)。
處理速度：0.0095 μs。
程序存儲(chǔ)器容量：4000 KB。
支持USB和網(wǎng)絡(luò)。
支持安裝記憶卡QD64D2
多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號(hào)，為裝置的更加高精度化作出貢獻(xiàn)。
通過(guò)多CPU進(jìn)行高速、高精度機(jī)器控制。
通過(guò)順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率最大化QD64D2用戶(hù)手冊(cè)。
此外，最新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號(hào)的2倍，
確保了高速、高精度的機(jī)器控制。4軸，差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
2軸/3軸/4軸直線插補(bǔ)。
2軸弧線插補(bǔ)。
控制單位：mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù)：600個(gè)數(shù)據(jù)/軸。
最大脈沖輸出：1Mpps。
40針連接器。
定位模塊。
開(kāi)路集電極輸出型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
根據(jù)用途分為開(kāi)路集電極輸出型和差分驅(qū)動(dòng)器輸出型 2 種類(lèi)型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 最高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器，
傳輸距離可達(dá) 10 米，實(shí)現(xiàn)高速高精度的控制。
（開(kāi)路集電極型定位模塊的指令脈沖最
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品Q(chēng)D64D2用戶(hù)手冊(cè)。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時(shí)，實(shí)現(xiàn)了最大的靈活性。
可滿(mǎn)足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿(mǎn)足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類(lèi)豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可全面地滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過(guò)程控制應(yīng)用的理想選擇。串行ABS同步編碼器輸入可使用臺(tái)數(shù)：2臺(tái)/個(gè)模塊。
位置檢測(cè)方式：編對(duì)值（ABS）方式。
傳輸方式：串行通信。
允許跟蹤目標(biāo)輸入點(diǎn)數(shù)：2點(diǎn)。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。QD64D2手冊(cè)。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域QD64D2手冊(cè)。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。