類型：E型 20點(diǎn) I/O。
電源規(guī)格：AC100～240V。
輸入點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸出型：繼電器。
程序容量：2k步。
數(shù)據(jù)存儲容量：2K字歐姆龍C500-LK201-V1用戶手冊。
對應(yīng)更多的全球競爭的設(shè)備控制。
與CPM系列相比CP1E提供了更高的性價(jià)比提供了更高的性價(jià)比。
進(jìn)深比標(biāo)準(zhǔn)型縮短6mmC500-LK201-V1
裝上RS-232C連接器時(shí)，進(jìn)深縮短20mm。
具備先進(jìn)的控制性能和功能，應(yīng)用廣泛。
應(yīng)用機(jī)型內(nèi)置高速計(jì)數(shù)器功能、脈沖輸出功能、串行連接端口。
此外，使用擴(kuò)展單元及選項(xiàng)板時(shí)，可支持各種裝置控制。
脈沖輸出功能僅晶體管輸出型。
使用100kHz、2軸脈沖輸出功能實(shí)現(xiàn)高精度定位控制。
高速計(jì)數(shù)器功能。
使用100kHz(單相)2軸和10kHz(單相)4軸的高速計(jì)數(shù)器功能，
即使是多軸控制，也可通過1臺設(shè)備實(shí)現(xiàn)歐姆龍C500-LK201-V1用戶手冊。容量：4K字。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲保護(hù)開關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫步。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)。內(nèi)置電源（100至120/200至240 VAC）。
輸出電流：4.2A。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從最多10個(gè)增加到16個(gè)，
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理歐姆龍C500-LK201-V1用戶手冊。2軸脈沖輸入，
2軸脈沖輸出，
12 DC輸入，
8晶體管輸出。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。
大容量CPU單元可增加組件控制電源。
CS1 CPU單元均享有多達(dá)5120個(gè)I/O點(diǎn)的出眾容量、250K步的編程、448字的數(shù)據(jù)存儲器(包括擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲器)和4096個(gè)定定時(shí)器/計(jì)數(shù)器C500-LK201-V1手冊。
由于具備較大編程容量，CS1 PLC小僅適用于大型系系統(tǒng)，
還可輕松處理增值應(yīng)用和其他高級數(shù)據(jù)處理C500-LK201-V1手冊。
數(shù)據(jù)處理期間的周期時(shí)間變化減少
需要較長執(zhí)行時(shí)間的指令
(如表數(shù)據(jù)處理指令將周期時(shí)間變化降到最低并保持穩(wěn)定I/O響應(yīng)和文本字符申指令)將在多個(gè)周期內(nèi)處理。