輸入：4通道。
熱電偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re) 。
無(wú)加熱器斷線檢測(cè)功能。
采樣周期：0.5s/4 通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)三菱模塊 編程手冊(cè)。
尖峰電流抑制功能。
可防止同時(shí)打開(kāi)輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
同時(shí)升溫功能。
使多個(gè)回路同時(shí)達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運(yùn)行成本QD51
自動(dòng)調(diào)整功能。
可在控制過(guò)程中自動(dòng)調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動(dòng)調(diào)整成本（時(shí)間、材料和電能）。
可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實(shí)現(xiàn)最佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊三菱模塊 編程手冊(cè)。
針對(duì)擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過(guò)熱和防過(guò)冷的功能。
可根據(jù)控制對(duì)象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。SRAM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：64KB。控制軸數(shù)：最多16軸三菱模塊 編程手冊(cè)。
插補(bǔ)功能：直線插補(bǔ)（最大4軸）,圓弧插補(bǔ)（2軸）,螺旋插補(bǔ)（3軸）。
PLC容量：60k步。
可以控制最大16軸的伺服放大器。
具有位置控制、速度控制、轉(zhuǎn)矩控制、先進(jìn)同步控制等豐富的控制方式。
將增量式同步編碼器I/F及標(biāo)志檢測(cè)信號(hào)I/F集成在1個(gè)模塊中。
擴(kuò)容時(shí)，可以擴(kuò)大至PLC容量60k步（使用Q170MSCPU-S1時(shí)）、基板7層QD51編程手冊(cè)。
通過(guò)與伺服放大器的組合實(shí)現(xiàn)安全轉(zhuǎn)矩關(guān)斷 （STO） 。
通過(guò)Ethernet 連接與COGNEX公司生產(chǎn)的視覺(jué)系統(tǒng)直接連接。
連接SSCNETⅢ/H主模塊LJ72MS15后可以使用MELSEC-L系列的輸入。
輸出模塊、模擬量輸入輸出模塊、 高速計(jì)數(shù)器模塊QD51編程手冊(cè)。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：28 k步。
處理速度：34ns。
程序存儲(chǔ)器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡QD51編程手冊(cè)。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲(chǔ)器容量增加到最多60K字。
對(duì)增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域三菱模塊 編程手冊(cè)QD51手冊(cè)。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。