UM：3K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)歐姆龍C200H-MR431。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作C200H-MR431
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。輸出點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)、漏型。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：0.3A。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CH歐姆龍C200H-MR431。
國際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、N、L、CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運(yùn)動(dòng)控制單元、雙軸高速計(jì)數(shù)器單元、8點(diǎn)模擬量I/O單元，
4點(diǎn)模擬量I/O混合單元。
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從多10個(gè)增加到16個(gè)，
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理歐姆龍C200H-MR431。
可實(shí)現(xiàn)智能I/O讀寫指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個(gè)字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶的喜愛的強(qiáng)有力的PC。I/O插槽數(shù)：3槽，I/O模塊安裝在擴(kuò)展底板上歐姆龍CMOS-RAM內(nèi)存卡。
除了CPU中內(nèi)置的標(biāo)準(zhǔn)上位機(jī)鏈接端口外，
在CPU上還可安裝一塊有6種類型可供選擇的通信板，
這些任選通信板為SYSMAC LINK或SYSMAC NET單元的連接，
為了與調(diào)制解調(diào)器/可編程終端、條形碼讀入器、溫度控制器
或任何一種帶RS-232C/RS-422設(shè)備的通信提供了簡捷的途徑歐姆龍CMOS-RAM內(nèi)存卡。
過去，PC連接一個(gè)測量設(shè)備或元器件必須要給ASCII單元或BASIC單元編寫一個(gè)通信程序。
而今，C200HX/HG/HE PC裝上通信協(xié)議宏功能，
能將這些通信程序通過PMCR指令配置到梯形圖程序中，
用這個(gè)功能系統(tǒng)可以方便地與各種各樣的元器件相連歐姆龍CMOS-RAM內(nèi)存卡。
點(diǎn)數(shù)：4點(diǎn)。
信號范圍選擇：4點(diǎn)通用。
信號范圍：熱電偶K、J。
轉(zhuǎn)換速度：4.8s以下(4點(diǎn)/單元設(shè)定時(shí))。
外部連接：可拆卸端子塊。
溫度傳感器單元多可變換從4個(gè)熱電偶或鉑熱電阻傳來的溫度信號為4位BCD碼，直接輸入PC。
冷端補(bǔ)償回路（對熱電偶）由C200H-TS001/TS002的端子B4和B5提供，
其精度連同該單元一起調(diào)整。回路數(shù)：2回路。
測定值輸入：電壓輸入/電流輸入（4～20mA、 1～5V、 0～5V、 0～10V）。
控制輸出：電流輸出（線性）。
在的輸入范圍4-20mA或1-5mV內(nèi)可進(jìn)行兩路PID控制，
并可進(jìn)行晶體管、電壓或電流的輸出控制。
梯形圖可控制內(nèi)存中設(shè)定單元的分配字，
來進(jìn)行開/停操作，設(shè)定目標(biāo)值，讀取過程值或進(jìn)行其他操作。
支持兩個(gè)回路的PIDD（兩點(diǎn)自由設(shè)定）控制或開關(guān)控制C200H-MR431。
直接輸入模擬量信號。
集電極開路，電電壓、電流輸出歐姆龍C200H-MR431。
采樣周期：100ms。
運(yùn)行/開始控制。
支持手動(dòng)輸出。
每個(gè)回路可設(shè)定兩個(gè)報(bào)警器。
可記錄設(shè)定值、報(bào)警值和PID參數(shù)等8個(gè)值。
可設(shè)置數(shù)字濾波器以消除輸入的快速改變。
連接數(shù)據(jù)設(shè)定器。