輸入：4通道。
鉑電阻(Pt100；JPt100)。
加熱器斷線(xiàn)檢測(cè)功能。
采樣周期：0.5s/4通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)x2。
可靈活進(jìn)行各種設(shè)置，實(shí)現(xiàn)最佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊。
針對(duì)擠壓成型機(jī)等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過(guò)熱和防過(guò)冷的功能。
可根據(jù)控制對(duì)象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式Q02CPU
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。
尖峰電流抑制功能。
可防止同時(shí)打開(kāi)輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
同時(shí)升溫功能。
使多個(gè)回路同時(shí)達(dá)到設(shè)置值，以進(jìn)行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運(yùn)行成本。
自動(dòng)調(diào)整功能。
可在控制過(guò)程中自動(dòng)調(diào)節(jié)PID常數(shù)。
可降低自動(dòng)調(diào)整成本（時(shí)間、材料和電能）。分辨率262144PLS/res。
允許轉(zhuǎn)速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向最大為19.6N，軸向最大為9.8N。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。輸入電壓范圍：AC100-120V/AC200-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：8.5A。
簡(jiǎn)化程序調(diào)試
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測(cè)試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶(hù)指定值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過(guò)使用本功能，無(wú)需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作。
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡(jiǎn)單。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中，
以以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免免在長(zhǎng)假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。
通過(guò)軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴(kuò)展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。